这次的深蓝手机泄露对于曹莽来说是个好事情，因为这一次泄露让他获得不少的声望。
这件事可不但引起国内的网友关注，还引起国外无数关心深蓝的网友们关注。
这让曹莽又获得将近三个亿的声望。
曹莽在系统商城上购买了两种三种产品。
第一种产品就是HMBSR内存技术，HMBSR是HBM内存技术的进化版。
HBM(High Bandwidth Memory)作为一种GPU显存存在时，现在似乎已经不算罕见了。
很多人可能都知道HBM成本高昂，所以即便不罕见，也只能在高端产品上见到它。
HBM的特点之一，也是以相比DDR/GDDR更小的尺寸、更高的效率(部分)实现更高的传输带宽。
从传输位宽的角度来看，每层DRAM die是2个128bit通道，4层DRAM die高度的HBM内存总共就是1024bit位宽。
很多GPU、CPU周围都有4片这样的HBM内存，则总共位宽就是4096bit。
由此可见HBM在带宽上具有着超高的吞吐量。
这样内存要是用在手机上一定会给客户带来更好的效率。
只是为什么没有人把它用在手机上？
那是不是因为贵，所以才没有下放到消费级市场呢?
就算HBM内存再贵也不可能贵到哪里去，几百块的成本消费者都是承受得起的。
消费者：我们是缺那几百块的人吗？
实际上并不是的。
这其中有三个问题在里面。
第一个就是成本问题，虽然这个是小问题，但是厂家们不得不重视这个问题。
第二个问题技术手机cpu根本用不到这么高带宽的内存。
第三个问题就是HBM内存的延迟实在是太高了。
就因为这三个因素厂家们不得不放弃HBM内存。
曹莽所购买的HMBSR内存采用全新的设计，解决了HBM内存当前所有的问题。
更低廉的制造成本，更低的读取写入延迟。
曹莽购买的第二件产品就是kos存储内存技术。
目前市面上采用的都是emmc和usf这两种内存。
eMMC目前是最当红的便携移动产品解决方案，目的在于简化终端产品存储器的设计。
由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等，但设计厂商在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。
这样内存唯一的优势就是便宜，它的缺点就是读写效率比较低。
这种内存目前为止最高读取效率为400mb/s，写入效率是70mb/s。（特指2015年。）
usf内存是2011年电子设备工程联合委员会，发布了第一代通用闪存存储标准，即UFS 2.0的前身。
不过第一代的UFS并不受欢迎，也没有对eMMC标准产生明显的影响。