在当今科技日新月异的时代，光刻机作为芯片制造的核心设备，其技术发展历经了漫长而曲折的历程。EUV 光刻机更是其中的巅峰之作，代表着人类在微观制造领域的极高成就。
回顾光刻机的发展历史，20 世纪 60 年代，接触式光刻技术出现，它是小规模集成电路时期的主要光刻技术，掩膜版与晶圆表面的光刻胶直接接触，分辨率可达亚微米级，但晶圆与掩膜版易产生划痕和颗粒沾污。70 年代，接近式光刻技术得到广泛应用，掩膜版与光刻胶之间有氮气填充的间隙，一定程度上减少了损伤，但受衍射效应限制，分辨率极限约为 2μm。
随着集成电路尺寸的不断缩小，投影光刻技术应运而生。其基于远场傅里叶光学成像原理，采用具有缩小倍率的投影成像物镜，有效提高了分辨率。此后，光刻技术不断演进，从干式光刻发展到浸润式光刻，进一步提高了光刻水平。
EUV 光刻技术采用锡的电浆来产生波长为 13.5 纳米的光源，以及用钼硅多层反射薄膜来把光传递到芯片上，得在低真空中运作，技术难度更高。EUV 光刻技术的研发可以追溯到二十多年前，当时众多科研团队投入其中，但在很长一段时间内都未能达到量产的技术要求。
例如，在光源功率方面就曾面临巨大挑战。早期的 EUV 光刻机光源非常弱，最佳状态时只能输出 10 瓦的功率，仅是现在量产机台的二十五分之一，而且可靠性低，经常故障。然而，科研人员并没有放弃，通过不断实验和改进，逐渐提升了光源的输出功率和稳定性。
再看光学系统，EUV 光刻机的镜头需要采用高精度的非球面镜，其面型误差必须小于 0.25 纳米，加工这种镜子需要超精密的数控机床和检测设备，这对制造工艺提出了极高的要求。
EUV 光刻机的多层膜技术也至关重要，要在大面积上获得高于 60%且均匀的反射率，且多层膜的反射峰值波长匹配需在 0.05 纳米之内，涉及到复杂的材料科学和镀膜工艺。
尽管 EUV 光刻技术以实验室形式的研发已经走过了二十多年，期间困难重重，但由于它对延续摩尔定律具有重要意义，人们始终没有放弃。经过长期的努力和投入，如今 EUV 光刻机终于成为半导体先进制程中最重要的生产工具之一。
然而，要手搓 EUV 光刻机，在目前的技术条件下几乎是不可能完成的任务。它需要庞大的资金投入、顶尖的科研团队、先进的制造设备和完善的产业链支持。
首先，EUV 光源的产生就是一个巨大的挑战。它需要极其精密的激光等离子体技术，以稳定产生波长为 13.5 纳米的极紫外光，这并非个人能够轻易实现。