其次，光学系统的精度要求极高。制造光刻机的光学镜头需要超精密数控机床，以确保能加工出面型误差小于 0.25 纳米的非球面镜，并且对镀膜工艺也有苛刻要求。
再者，多层膜技术的难度也不容小觑，需要在材料科学方面有深入研究和精湛工艺，才能实现高反射率和精确的波长匹配。
此外，EUV 光刻机还需要先进的控制系统，以在纳米级别的精度下实现高速、高精度的光刻操作，这涉及到复杂的算法和高速的电子设备，个人很难具备开发和调试这些系统的能力。
从材料的获取到零部件的制造，再到系统的集成和调试，每一个环节都需要高度专业化的知识、设备和工艺。即使是拥有丰富资源和技术积累的大型企业和科研机构，在研发 EUV 光刻机时也面临着巨大的困难和挑战。
总之，EUV 光刻机的制造是一个复杂而庞大的系统工程，是全球高端制造业共同努力的成果。虽然科技的发展充满未知，但就当下而言，手搓 EUV 光刻机无疑是一项极具挑战性、几乎无法实现的任务。
极紫外线光刻机（extreme ultraviolet，简称EUV光刻机），是以波长为10~14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，可被应用于14纳米及以下的先进制程芯片的制造。
EUV光刻机的原理是用波长只有头发直径一万分之一的极紫外光，在晶圆上“雕刻”出电路，从而制造出包含上百亿个晶体管的芯片。其重要性不言而喻，例如华为的麒麟990系列芯片、苹果手机的A14处理器（5纳米工艺）以及M1处理器、三星的Exynos9825处理器等都是用EUV光刻机生产出来的，可以说7纳米以下的芯片，没有EUV光刻机很难制造出来。
光刻机的精度越高，能生产出的纳米尺寸越小、功能更强大的芯片。EUV光刻机的分辨率提升原理涉及公式： （其中R是整个系统的分辨率，λ为系统的工作波长，NA为物镜的孔径，K为工艺因子常数），这意味着EUV光刻机的所有子系统都在围绕降低工作波长、提升物镜孔径、压制工艺因子常数等方面进行改进。